恶性脑膜瘤的相关因素包括遗传因素，部分恶性脑膜瘤可能与特定基因突变等遗传因素有关，有家族遗传病史人群需密切关注脑部健康；电离辐射暴露，长期头部电离辐射暴露是明确危险因素，儿童青少年更易因放疗后细胞分裂活跃而患病，应避免不必要辐射；脑部胚胎发育残留细胞，胚胎发育残留细胞在特定因素下可发展为脑膜瘤且有恶变可能，有胚胎发育相关异常病史人群需加强监测。
电离辐射暴露
长期暴露于电离辐射是恶性脑膜瘤的一个明确危险因素。例如，接受过头部放疗的患者，在放疗后的若干年，患脑膜瘤包括恶性脑膜瘤的概率会显著增加。不同年龄的人群都可能因电离辐射暴露而面临风险，儿童和青少年在接受头部放疗后，由于其细胞分裂活跃，发生基因突变的可能性相对较高，进而更易引发脑膜瘤的恶变。生活方式中如果有频繁接受不必要的头部电离辐射检查等情况，会增加患病风险，因此应尽量避免不必要的电离辐射暴露。
脑部胚胎发育残留细胞
胚胎发育过程中，颅内残留的胚胎组织可能在某些因素作用下逐渐发展为脑膜瘤，并且有恶变的可能。这些残留细胞在特定的环境因素等影响下，开始异常增殖分化，最终形成肿瘤。不同年龄阶段都可能存在胚胎发育残留细胞相关的情况，但具体到恶性转化的机制还需深入探究。对于有胚胎发育相关异常病史的人群，需要加强脑部健康监测。
