脑膜瘤的发病与遗传因素、电离辐射、胚胎发育残留、激素因素有关，部分脑膜瘤有遗传倾向，特定基因变异会增加风险；长期暴露电离辐射是明确危险因素，儿童青少年更易受影响；胚胎发育残留细胞可能增殖成脑膜瘤；激素水平变化可能与脑膜瘤发生有关，女性因激素波动频繁在相关方面可能有差异。
电离辐射
长期暴露于电离辐射环境中是脑膜瘤的一个明确危险因素。例如，接受头部放疗的患者，在放疗后的数年甚至数十年间，发生脑膜瘤的可能性会显著增加。电离辐射能够损伤细胞的DNA，导致细胞的遗传物质发生改变，影响细胞的正常分裂和分化过程。不同年龄的人群对电离辐射的敏感性有所不同，一般来说，儿童和青少年处于生长发育阶段，细胞分裂活跃，受到电离辐射后发生基因突变导致脑膜瘤的风险可能相对更高。生活中因职业等原因长期接触电离辐射的人群，如放射科工作人员等，需要特别注意采取防护措施以降低发病风险。
胚胎发育残留
在胚胎发育过程中，一些细胞可能没有完全分化或残留下来，这些残留的细胞在某些因素的作用下可能逐渐增殖形成脑膜瘤。胚胎时期神经管发育过程中，某些组织的异常残留可能为脑膜瘤的发生提供了基础。这种情况在任何年龄段都可能存在，但具体的发病机制尚在进一步研究中。对于有胚胎发育相关异常病史的人群，需要密切关注自身健康状况，定期进行相关检查以便早期发现可能出现的脑膜瘤。
激素因素
激素水平的变化可能与脑膜瘤的发生存在一定关联。例如，女性在妊娠、更年期等激素水平波动较大的时期，脑膜瘤的发病情况可能会有所变化。有研究发现，雌激素可能对脑膜瘤细胞的生长具有一定的促进作用。女性由于其生理周期、妊娠、更年期等因素导致激素水平变化较为频繁，相对男性而言，在激素相关因素影响脑膜瘤发病方面可能存在一定差异。但具体的激素与脑膜瘤发生的详细机制还需要更多深入研究来明确。
