脑膜瘤的发生与遗传因素、电离辐射、胚胎发育残留与异位细胞、激素水平等因素有关，部分脑膜瘤有遗传倾向，长期接触电离辐射会增加发病风险，胚胎发育残留细胞可致脑膜瘤，女性激素水平变化可能与之相关。
电离辐射
长期接触电离辐射是脑膜瘤的一个明确危险因素。比如，接受头部放疗的患者，在放疗后的数年甚至数十年间，发生脑膜瘤的几率会显著增加。电离辐射能够损伤细胞的DNA，导致细胞的基因发生突变，影响细胞的正常增殖和凋亡机制，进而促使脑膜瘤的形成。在职业环境中需要长期接触电离辐射的人群，如放射科工作人员等，需要特别注意采取防护措施来降低发病风险。
胚胎发育残留与异位细胞
在胚胎发育过程中，有些蛛网膜细胞或异位的胚胎残余细胞可能会留存于颅内。这些细胞在后续的生长发育过程中，由于受到各种因素的影响，可能会异常增殖形成脑膜瘤。例如，在胚胎早期神经管闭合过程中，一些细胞没有完全迁移到正常位置，而是残留在颅内特定部位，随着时间推移，这些残留细胞发生异常变化，逐渐发展为脑膜瘤。这种情况在胚胎发育过程中受到多种未知因素影响，目前对于具体的触发机制还在进一步研究中，但可以确定胚胎发育残留细胞是脑膜瘤的潜在成因之一。
激素水平
女性体内的激素水平变化可能与脑膜瘤的发生有关。研究发现，雌激素可能会对脑膜瘤细胞的生长产生影响。在育龄女性中，尤其是雌激素水平波动较大的时期，脑膜瘤的发病情况可能与激素水平相关。此外，孕激素等其他激素也可能在一定程度上参与脑膜瘤的发生发展过程。不过，具体的激素作用机制较为复杂，不同个体对激素水平变化的反应存在差异，这也导致了在不同性别和不同生理状态下脑膜瘤的发病情况有所不同。例如，女性在妊娠期，激素水平大幅变化，虽然目前并没有明确证据表明妊娠期会直接导致脑膜瘤发病风险急剧升高，但激素水平的改变可能会对已存在的脑膜瘤细胞产生一定影响，不过这种影响的具体机制还需更深入的研究来阐明。
