大脑镰旁脑膜瘤病因未完全明确，可能与遗传因素（如神经纤维瘤病Ⅱ型患者发病风险高）、电离辐射（长期接触增加患病风险）、胚胎发育残留（胚胎残余细胞异常增殖致瘤）有关，高危人群应定期行头颅影像学检查，出现疑似症状及时就医，特殊人群检查和处理需谨慎，要遵循个体化诊疗原则。
电离辐射：长期接触电离辐射是脑膜瘤的一个明确危险因素。比如，接受头部放疗的患者，在放疗后的若干年，发生脑膜瘤的可能性会增加。电离辐射会损伤细胞的DNA，导致细胞异常增殖，从而引发脑膜瘤。从事放射相关职业且防护不当的人群，患大脑镰旁脑膜瘤的风险较一般人群高。
胚胎发育残留：在胚胎发育过程中，某些残余的胚胎细胞可能会在大脑镰旁部位异常增殖，最终形成脑膜瘤。这种胚胎发育的异常情况在个体出生时就已存在，但往往在后天因素的影响下才会逐渐发展为可察觉的脑膜瘤。
对于有家族遗传病史、长期接触电离辐射等高危因素的人群，应定期进行头颅影像学检查，如头颅磁共振成像（MRI）等，以便早期发现大脑镰旁脑膜瘤。如果出现头痛、癫痫发作、视力障碍等疑似大脑镰旁脑膜瘤的症状，应及时就医进行详细检查。特殊人群如儿童、孕妇等，由于其生理特点不同，在检查和后续处理上需要更加谨慎。儿童患者在进行影像学检查时要注意辐射剂量的控制，孕妇则要权衡检查的必要性和对胎儿的影响；对于有相关病史的特殊人群，更要遵循个体化的诊疗原则，制定合适的检查和治疗方案。
